村田硅电容器的结构
利用干法蚀刻技术的BOSCH工艺。BOSCH工艺是硅加工特有的技术，它可以让通过SF6气体进行蚀刻和通过C4F8形成保护膜高速重复，从而实现高纵横比蚀刻。
村田硅电容器的特点
硅电容器采用村田独家技术通过深沟槽及三角架支柱的结构，获得了比平面结构大100倍的电极表面积，实现了紧凑封装。另外，因为硅电容器的电介质使用了温度补偿类材料，所以在实际使用条件下容量不会减少，达到了上下电极式小型产品领域中的最大级别静电容量密度。
村田硅电容伴随高速大容量通信技术而来的信号宽带化及挑战
为了达到伴随高速大容量通信，村田代理商智成电子如何利用比现行带宽高数倍至数十倍的带宽已成为一大研究课题。但众所周知，若以大功率输出宽带信号，功率放大器模块（PAM）内将会出现互调失真（IMD）问题，降低信号完整性。IMD的频率与带宽成正比例关系，2阶IMD中造成问题的频率在Sub6GHz中最大达到400MHz，在毫米波中则达到数GHz。
应用对象：基站的射频功率放大器模块
村田硅电容去耦解决方案
村田代理商深圳智成以下将介绍消除二阶IMD的方法。IMD的低频段可通过与场效应管的漏极相连的偏置电路消除，但是IMD的高频段因为受到用于RF-Blocking的微带线等的影响，难以在功率放大器模块外消除。在此要介绍的方法就是，将硅电容器（Si-Cap）直接用于功率放大器模块内的金属基板上，通过打线方式将硅电容与FET连接。
通过这种方法，利用在实际使用条件下能够保持大容量的小型硅电容器，可以在功率放大器模块的有限空间内消除IMD。
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