什么是场效应管？

场效应晶体管(FET)是场效应晶体管的简称。村田电容所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。 一般的晶体管是其中两个极性的载流子(即相反极性的多数载流子和少数载流子)参与导通的晶体管，因此称为双极晶体管，而FET仅由多数载流子导通，它与双极晶体管相反，也称为单极晶体管。 高输入电阻（108～109 Ω）、低噪声、低功耗、动态范围大、易于集成、无二次击穿、安全工作区宽，已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。

一、场效应管的分类

场效应管分为结型和绝缘栅型。JFET (JFET)之所以得名是因为它有两个 PN 结，而绝缘栅型场效应晶体管(JGFET)之所以得名是因为栅极与其他电极完全绝缘。目前，金属氧化物半导体 MOSFET 以及 PMOS、 NMOS 和 VMOS 功率 MOSFET 被广泛应用于绝缘栅 MOSFET、 πmos FET、 VMOS 功率模块等。

按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应晶体管技术可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

II.场效应晶体管模型命名方法

目前有两种命名方法。

第一种命名方法与双极晶体管相同。第三个字母J代表结型FET，O代表绝缘栅型FET。第二个字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；c型硅p沟道。比如3DJ6D是结型N沟道场效应晶体管，3DO6C是绝缘栅N沟道场效应晶体管。

第二种命名研究方法是CS××#，CS代表一个场效应管，××以数字技术代表产品型号的序号，#用字母可以代表进行同一设备型号中的不同需求规格。例如CS14A、CS45G等。

三、FET参数

场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般来说主要涉及以下几个参数:

1.I DSS-饱和漏源电流。指结型或耗尽型绝缘栅FET中栅极电压U GS=0时的漏源电流。

2、UP工作在开关控制状态下的三极管我们都可以叫开关管。三极管有PNP、NPN、单结晶体管等。